SJ 50033.127-1997 半导体分立器件2DK14型硅肖特基开关整流二极管详细规范
|
ID： |
FF9AC869931747DCBA2B90C7B2F54FDA |
|
文件大小(MB)： |
0.6 |
|
页数： |
12 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/127-97,半导体分立器件,2DK14型硅肖特基开关整流,二极管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK14 SCHOTTKY,silicon switching rectifier diode,1997-06/7 发布 !997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2DK14型硅肖特基开关整流二极管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 2DK14 SCHOTTKY,silicon switching rectifier diode,SJ 50033/127-97,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 2DK14型硅肖特基开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示,2引用文件,GB 4023-86半导体分立器件 第2部分 整流二极管,GB 6571-86小功率信号二极管、稳压及基准电压二极管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GB 33-85 半导体分立器件总规范,GB 128-86 半导体分立器件试睑方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计和结构,器件的设计和结构应按GJB 33和本规范图1的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布 !997-10-01实施,SJ 50033/127-97,引出端材料应为柯伐丝,引出端表面镀银或浸锡,3.2.2 器件结构,由二个芯片装配,并和底盘、引出端之间采用高温冶金键合结构。器件2DK14C.D.E.F,各档和2DK13c. D. E. F档为结构相似器件,在B组,C组试验中可以用2DK14替代2DK13,（但不包括B3和C6分组）,3.2.3 外形尺寸,3.3最大额定值和主要电特性,3.3.I最大额定值,S号,Z〇,TO = 75*C,A,%RM,V V,【FSM,A,T1 o p,c 匕,2DK14C,10,50 40,200,-55-150 -55-175,2DK14D 60 50,2DK14E 70 60,150,2DK14F 80 70,一 2 一,www. bzfxw. com 下载,SJ 50033/127-97,3.3.2主要电特性（1\ = 25じ）,型号,Vfmi,10A(pk),V,VfM2,1A,(pk),V,【FM= 10A,(pk),/= -55 匕,V,Iri,Vr= Vrwm,ム二25匕,mA,Vr = °，8 Vrwa,ム=125匕,mA,1 1h = 4A,2H = 50s,K/W,于=1MHz,Vr = 5.0V,pF,/f = 0.5A,ns,最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值最大值,2DK14C 0.65 0.50 0.85,2,45,15 2400 100,2DK14D,2DK14E 0.75 0.55 0.95,2DK14F,55,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 6571及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检睑,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,当批量小于500时,抽样采用小批量的LTPD,抽样和固定抽样相结合的抽样方案,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4.3 筛选（适用于GT和GCT级）,筛选应符合GJB 33的表2和本规范的规定。下列测试应按本规范中表1的规定进行,超过本规范表1极限值,的器件应剔除,筛 选,(见 GJB 33 表 2),试验方法,（GJB 128）,测试或试验,质量保,证等级,1 .内部目检2073 GT、GCT,2.高温寿命1032 试验条件:175c ?= 48h GT、GCT,3.热冲击（温度循环） 1051 试验条件:-55C~ 1501c循环20次GT、GCT,4.恒定加速度2006 98000m/s2( 10000g) 20sく，W60s GT、GCT,6?高温反偏1038 Vr = 0.7Vrwm Ta=125V (GT) 1。= 〇 < = 48h,Ta =1501 (GCT),GT、GCT,7.中间电参数测试，R2条件见3.3.2 GT、GCT,3,SJ 50033/127-97,续表,嘛 选,（见 GJB 33 表 2）,试验方法,(GJB 128),测试或试验,质量保,证等级,8.电老炼1026 Tc=60 匕匕"=50Hz,ん=10A,正半周导通角大于170.,Vr=0.8Vrwm,负半周导通角大于150,t = 96h,GT、GCT,9.最后测试zI/rmi =初始值的100%或〇.8mA,取较大者,△Vfm 产 100mV,GT、GCT,10.密封,粗检,细检,1071,试验条件C,试验条件H漏率W5Xl()-2pa.cm3/s GT.GCT,11.脉冲反向能量试验试验方法见4.5.2 GT、GCT,12.特性曲线检査见 4.5.3 GT、GCT,13.外观及机械检验……
……